H5TC4G63CFR-PBL vs MT41K256M16RE-125:D مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5TC4G63CFR-PBL بواسطة SK hynix و MT41K256M16RE-125:D بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5TC4G63CFR-PBL | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gb (256M x 16) | — |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35 V |
| معدل البيانات | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 MT/s |
| العلبة | 96-ball FBGA (TFBGA) | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Form | BALL | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 |
| زمن الوصول CAS | 11, 12, 13 | 11 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| التنظيم | — | 256M x 16 |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0C to +95C (TC) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |