IAUC100N04S6L020ATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC100N04S6L020ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7N006ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IAUC100N04S6L020ATMA1 | IAUCN04S7N006ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 100 A | — |
| Power Dissipation (Tc) | 75 W | — |
| RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A | 2.04 mΩ | — |
| RDS(on) Typical | 2.0 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage VGS (max) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical | 2.0 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 (trench) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55 C to +175 C |
| العلبة | PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) | PG-TDSON-8-43 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive grade | — |
| Packaging | Tape & Reel (TMA1) | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 175 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Junction Temperature Max | — | 175 C |
| Power Dissipation Max (Pd) | — | [DATA_NEEDED: Pd max] |
| Gate Charge Total (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (compliant) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |