IAUC100N04S6L025ATMA1 vs IAUC100N10S5N040ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC100N04S6L025ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC100N10S5N040ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N10S5N040ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 6 40V trench MOSFET OptiMOS-5
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] 400 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.5 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (PD) at TC=25C 62 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C —
العلبة PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q100 qualified
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (up to 260C peak reflow)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C — 100 A (package-limited)
RDS(on) max @ VGS=10V — 4 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Maximum Power Dissipation (PD) — 167 W @ TC=25C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.9 K/W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C (junction)
Avalanche Rating — 100% Avalanche tested
AOI Compatibility — Feasible for Automatic Optical Inspection

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر