IAUC100N04S6N022ATMA1 vs IPB100N04S4H2ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC100N04S6N022ATMA1 بواسطة Infineon و IPB100N04S4H2ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUC100N04S6N022ATMA1 IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N022ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC100N04S6N022ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 6, N-Channel MOSFET OptiMOS-T2 (trench gate)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 100 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 75 W —
R_DS(on) (typ at V_GS=10V) 2.2 mOhm —
العلبة PG-TDSON-8 (5x6 mm) leadless PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (junction) —
Polarity N-Channel enhancement mode —
Automotive Qualification AEC-Q100 (IAUC family) AEC-Q101 qualified
عدد الأطراف 8 —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Q_g [DATA_NEEDED: total gate charge] —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (up to 260C peak reflow)
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) at VGS=10V — 2.4 mΩ typical
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 115 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temp range]
Avalanche Energy (EAS) — 100% avalanche tested
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر