IAUC100N08S5N043ATMA1 vs IAUC50N08S5L096ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC100N08S5N043ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC50N08S5L096ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUC100N08S5N043ATMA1 | IAUC50N08S5L096ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | IAUC / OptiMOS 5 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 100 A (package limited) | — |
| Continuous Drain Current (chip-limited) | 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W | — |
| Maximum R<sub>DS(on)</sub> | 4.3 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 125 W (T<sub>C</sub>) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55°C to +175°C | -55°C to +175°C |
| العلبة | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 8 | — |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS / REACH | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Product Series | — | OptiMOS 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 50 A (Tc) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 200 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Power Dissipation (PD) | — | 60 W (Tc) |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |