IAUC100N10S5L054ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC100N10S5L054ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN10S5L280DATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 (IAUC automotive family) —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS value] —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 101 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 130 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 5.4 mΩ —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C -55C to +175C (junction)
العلبة PG-TDSON-8-34 (surface mount) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5 Trench MOSFET
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
حالة RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
عدد الأطراف — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر