IAUC100N10S5L054ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUC100N10S5L054ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN10S5L280DATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 ✓ פעיל
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 (IAUC automotive family) —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS value] —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 101 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 130 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 5.4 mΩ —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +175°C -55C to +175C (junction)
מארז PG-TDSON-8-34 (surface mount) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS 5 Trench MOSFET
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Product Family — OptiMOS 5
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
מספר פינים — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר