IAUC120N04S6N009ATMA1 vs IAUA120N04S5N014AUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC120N04S6N009ATMA1 بواسطة Infineon و IAUA120N04S5N014AUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUA120N04S5N014AUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 40V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 120 A —
تيار التصريف النبضي [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 0.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Total Gate Charge Q_g typ [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Thermal Resistance R_thJC max 1.0 K/W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-HSOF-5-2 (sTOLL)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per Infineon product page) —
Part Number — IAUA120N04S5N014AUMA1
Series — OptiMOS™ 5
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10 V — 1.4 mΩ
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C — 136 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirmed min/max from datasheet]
عدد الأطراف — 5 + Tab (6 effective)
Gate Drive — Enhancement Mode
حالة RoHS — Compliant
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر