IAUC120N06S5N022ATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC120N06S5N022ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC120N04S6N010ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IAUC120N06S5N022ATMA1 - 60V, 2.2mΩ OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5N022ATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IAUC120N06S5N022ATMA1 | IAUC120N04S6N010ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 170 A (Tj) | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mΩ at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 136 W (Tc) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: TJ min/max] | -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family) |
| العلبة | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP 5x6) | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS-5 trench | OptiMOS 6 |
| Channel Type | N-Channel | — |
| عدد الأطراف | 8 (with exposed pad) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes (per Infineon product family convention) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| RDS(on) at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @4.5V] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Id, Tc) | — | 150 A |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | — | 150 W |
| RDS(on) at VGS=10V (typ) | — | 1.0 mΩ |
| RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) | — | 1.03 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) | — | 3 V (at 90 µA) |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family) |
| Gate Drive Recommendation | — | 10 V VGS for full RDS(on) spec |
| Polarity | — | Single N-channel |