IAUC120N06S5N022ATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC120N06S5N022ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N04S6N010ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC120N06S5N022ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) 170 A (Tj) —
On-Resistance RDS(on) max 2.2 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (PD) 136 W (Tc) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: TJ min/max] -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family)
Paket PG-TDSON-8-34 (TDSON EP 5x6) PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-5 trench OptiMOS 6
Channel Type N-Channel —
Pin Sayısı 8 (with exposed pad) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS Durumu Compliant Compliant
Klorürsüz Yes (per Infineon product family convention) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @4.5V] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 150 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 150 W
RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.0 mΩ
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) — 1.03 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) — 3 V (at 90 µA)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family)
Gate Drive Recommendation — 10 V VGS for full RDS(on) spec
Polarity — Single N-channel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin