IAUC60N04S6N031HATMA1 vs IAUC28N08S5L230ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC60N04S6N031HATMA1 بواسطة Infineon و IAUC28N08S5L230ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC28N08S5L230ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) —
Process Technology OptiMOS 6 40V —
Configuration Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 60 A —
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 75 W —
R_DS(on) at VGS=10V 3.1 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C (Tj) —
العلبة PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Series — OptiMOS-5
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) — 28 A
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) — 23 mΩ (typ)
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) — 2.5 V
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) — 38 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
Technology — OptiMOS-5 Power MOSFET
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر