IAUCN04S6N009TATMA1 vs IAUC60N04S6N044ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S6N009TATMA1 بواسطة Infineon و IAUC60N04S6N044ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN04S6N009TATMA1 IAUC60N04S6N044ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 6 40 V —
Part Number IAUCN04S6N009T —
Ordering Code (MPN) IAUCN04S6N009TATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, at Tj) 330 A —
Power Dissipation (PD, at Tc) 178 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.9 mΩ —
العلبة PG-LHDSO-10-2 (SSO10T) PG-TDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS-6 N-channel trench MOSFET
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified (IAUC prefix)
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Gate Threshold VGS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C — 60 A
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C — [DATA_NEEDED: pulsed/current derated value]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=10V — 4.4 mΩ
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=4.5V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: typical gate charge]
Power Dissipation (P_D) at Tc=25°C — 42 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55°C to +175°C
مستوى MSL — 1 (unlimited)
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر