IAUCN04S6N009TATMA1 vs IAUC60N04S6N044ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S6N009TATMA1 tarafından Infineon ve IAUC60N04S6N044ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN04S6N009TATMA1 IAUC60N04S6N044ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 6 40 V —
Part Number IAUCN04S6N009T —
Ordering Code (MPN) IAUCN04S6N009TATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, at Tj) 330 A —
Power Dissipation (PD, at Tc) 178 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.9 mΩ —
Paket PG-LHDSO-10-2 (SSO10T) PG-TDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS-6 N-channel trench MOSFET
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified (IAUC prefix)
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Gate Threshold VGS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Gate-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS rating]
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C — 60 A
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C — [DATA_NEEDED: pulsed/current derated value]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=10V — 4.4 mΩ
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=4.5V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: typical gate charge]
Power Dissipation (P_D) at Tc=25°C — 42 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +175°C
MSL Seviyesi — 1 (unlimited)
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin