IAUCN04S6N009TATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S6N009TATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7N006ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUCN04S6N009TATMA1 | IAUCN04S7N006ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 6 40 V | — |
| Part Number | IAUCN04S6N009T | — |
| Ordering Code (MPN) | IAUCN04S6N009TATMA1 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, at Tj) | 330 A | — |
| Power Dissipation (PD, at Tc) | 178 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 0.9 mΩ | — |
| العلبة | PG-LHDSO-10-2 (SSO10T) | PG-TDSON-8-43 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 5 (trench) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | Yes (compliant) |
| Gate Threshold VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 175 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +175 C |
| Junction Temperature Max | — | 175 C |
| Power Dissipation Max (Pd) | — | [DATA_NEEDED: Pd max] |
| Gate Charge Total (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |