IAUCN04S6N009TATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN04S6N009TATMA1 מאת Infineon ו IAUCN04S7N006ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IAUCN04S6N009TATMA1 IAUCN04S6N009TATMA1 - 40V 0.9mΩ OptiMOS 6 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN04S6N009TATMA1 - 40V 0.9mΩ OptiMOS 6 Auto MOSFET | Infineon

IAUCN04S6N009TATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IAUCN04S6N009TATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 6 40 V —
Part Number IAUCN04S6N009T —
Ordering Code (MPN) IAUCN04S6N009TATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, at Tj) 330 A —
Power Dissipation (PD, at Tc) 178 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.9 mΩ —
מארז PG-LHDSO-10-2 (SSO10T) PG-TDSON-8-43
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 5 (trench)
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant Yes (compliant)
Gate Threshold VGS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 175 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +175 C
Junction Temperature Max — 175 C
Power Dissipation Max (Pd) — [DATA_NEEDED: Pd max]
Gate Charge Total (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר