IAUCN04S6N009TATMA1 vs ISC080N10NM6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S6N009TATMA1 بواسطة Infineon و ISC080N10NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN04S6N009TATMA1 ISC080N10NM6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 40 V —
Part Number IAUCN04S6N009T —
Ordering Code (MPN) IAUCN04S6N009TATMA1 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, at Tj) 330 A —
Power Dissipation (PD, at Tc) 178 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.9 mΩ —
العلبة PG-LHDSO-10-2 (SSO10T) PG-TDSON-8 FL (TDSON EP)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Gate Threshold VGS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Product Family — OptiMOS™ 6 100V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 75 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A — 8.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V at 36 µA
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet)
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet)
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes
Qualification — Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر