IAUCN04S7L019ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S7L019ATMA1 بواسطة Infineon و BSC027N04LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN04S7L019ATMA1 BSC027N04LSGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 7 —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 120 A —
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V 1.91 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value] —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value] —
العلبة PG-TDSON-8-33 PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C (junction) —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) [DATA_NEEDED: Pd max at 25C] —
المقاومة الحرارية، من الوصلة إلى المحيط [DATA_NEEDED: RthJA value] —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 1
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
Standard Pack Quantity 5000 pieces —
Ordering Code Suffix ATMA1 (Tape & Reel 13") —
Product Family — OptiMOS 3
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
تبديد القدرة (TC=25°C) — 83 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +150°C
Technology — OptiMOS 3 (Trench)
خالٍ من الهالوجين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر