IAUCN04S7L050HATMA1 vs IAUCN04S7L005ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S7L050HATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7L005ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN04S7L050HATMA1 IAUCN04S7L005ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 7 —
Configuration Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C 65 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.04 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 40 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) PG-TDSON-8-43 (TDSON-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
حالة RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (family-level, automotive grade) AEC-Q101 qualified
Technology Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 430 A (Tj)
Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) — [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C]
On-Resistance R_DS(on) max — 0.52 mΩ
Power Dissipation (P_D) — 179 W (T_C)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total Q_g in nC]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +175°C (Tj)
عدد الأطراف — 8
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر