IAUCN04S7L050HATMA1 vs IAUCN04S7L005ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7L050HATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7L005ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ AktifInfineon
IAUCN04S7L005ATMA1 - 40V 430A 0.52mΩ OptiMOS 7 MOSFET | Infineon
IAUCN04S7L005ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUCN04S7L050HATMA1 | IAUCN04S7L005ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS™ 7 | — |
| Configuration | Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C | 65 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.04 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | 40 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) | PG-TDSON-8-43 (TDSON-8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (family-level, automotive grade) | AEC-Q101 qualified |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V | OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 430 A (Tj) |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) | — | [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C] |
| On-Resistance R_DS(on) max | — | 0.52 mΩ |
| Power Dissipation (P_D) | — | 179 W (T_C) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: total Q_g in nC] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55°C to +175°C (Tj) |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| Lead-Free | — | Yes |