IAUCN04S7L050HATMA1 vs IAUCN04S7L005ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN04S7L050HATMA1 توسط Infineon و IAUCN04S7L005ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon

IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon

IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN04S7L050HATMA1 IAUCN04S7L005ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 7 —
Configuration Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C 65 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.04 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 40 W —
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) PG-TDSON-8-43 (TDSON-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (family-level, automotive grade) AEC-Q101 qualified
Technology Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 430 A (Tj)
Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) — [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C]
On-Resistance R_DS(on) max — 0.52 mΩ
Power Dissipation (P_D) — 179 W (T_C)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: total Q_g in nC]
محدوده دمای کاری — -55°C to +175°C (Tj)
تعداد پایه — 8
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت