IAUCN04S7N027GATMA1 vs IAUCN04S6N013TATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S7N027GATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S6N013TATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUCN04S7N027GATMA1 | IAUCN04S6N013TATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds max) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 117 A | — |
| On-Resistance (Rds(on) max) | 2.67 mOhm | — |
| Power Dissipation (Pd) | 70 W (Tc) | — |
| العلبة / الحالة | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| Gate-Source Voltage Max (Vgs) | [DATA_NEEDED: Vgs max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL] | — |
| Substrate Compatibility | IMS substrates and legacy FR-4 | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | — | 230 A at T<sub>C</sub> |
| R<sub>DS(on)</sub> (max) | — | 1.32 mΩ at V<sub>GS</sub> = 10 V |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 133 W at T<sub>C</sub> |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | — | 2.6 V (typ) |
| Total Gate Charge (Q<sub>g</sub>) | — | 52 nC at V<sub>GS</sub> = 10 V |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) | — | 1.08 nF |
| Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) | — | 3.7 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) | — | 51 pF |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 °C to +175 °C |
| العلبة | — | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |