IAUCN04S7N027GATMA1 vs IAUCN04S6N013TATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN04S7N027GATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S6N013TATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN04S7N027GATMA1 IAUCN04S6N013TATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds max) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) 117 A —
On-Resistance (Rds(on) max) 2.67 mOhm —
Power Dissipation (Pd) 70 W (Tc) —
Paket / Kas PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Gate-Source Voltage Max (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL] —
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy FR-4 —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 230 A at T<sub>C</sub>
R<sub>DS(on)</sub> (max) — 1.32 mΩ at V<sub>GS</sub> = 10 V
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 133 W at T<sub>C</sub>
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — 2.6 V (typ)
Total Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — 52 nC at V<sub>GS</sub> = 10 V
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) — 1.08 nF
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) — 3.7 nF
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) — 51 pF
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
Paket — PG-LHDSO-10-1 (SSO10T)
Automotive Qualification — AEC-Q101

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin