IAUCN08S7L110ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN08S7L110ATMA1 بواسطة Infineon و BSC076N04NDATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUCN08S7L110ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | 2x N-Channel MOSFET array |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) | 50 A | — |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) | 58 W | — |
| R<sub>DS(on)</sub> (typ., V<sub>GS</sub>=10 V) | 11 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max | [DATA_NEEDED: V_GS_max] | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: V_GS_th] | — |
| Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) | [DATA_NEEDED: Q_G_total] | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | -55 C to +175 C |
| العلبة | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ (Trench) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101 expected per family) | — |
| Polarity | Single N-Channel | — |
| Configuration | Single | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| العلبة / الحالة | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |