IAUCN08S7L110ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN08S7L110ATMA1 द्वारा Infineon और BSC076N04NDATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUCN08S7L110ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | 2x N-Channel MOSFET array |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) | 50 A | — |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) | 58 W | — |
| R<sub>DS(on)</sub> (typ., V<sub>GS</sub>=10 V) | 11 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max | [DATA_NEEDED: V_GS_max] | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: V_GS_th] | — |
| Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) | [DATA_NEEDED: Q_G_total] | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +175 °C | -55 C to +175 C |
| पैकेज | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ (Trench) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101 expected per family) | — |
| Polarity | Single N-Channel | — |
| Configuration | Single | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| पैकेज / केस | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |