IAUCN08S7N024ATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN08S7N024ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7N006ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series Automotive OptiMOS 7 (80 V) —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 165 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 2.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Technology OptiMOS 7 trench OptiMOS 5 (trench)
العلبة PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-43
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (typical automotive) -55 C to +175 C
تبديد القدرة (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS Compliance Compliant —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Typical Application 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch —
Continuous Drain Current (ID) — 175 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Junction Temperature Max — 175 C
Power Dissipation Max (Pd) — [DATA_NEEDED: Pd max]
Gate Charge Total (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر