IAUCN08S7N024ATMA1 vs IAUCN04S7N006ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN08S7N024ATMA1 توسط Infineon و IAUCN04S7N006ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1 - 80V 165A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN08S7N024ATMA1 - 80V 165A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN08S7N024ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN04S7N006ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series Automotive OptiMOS 7 (80 V) —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 165 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 2.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Technology OptiMOS 7 trench OptiMOS 5 (trench)
بسته‌بندی PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-43
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +175C (typical automotive) -55 C to +175 C
اتلاف توان (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS Compliance Compliant —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Typical Application 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch —
Continuous Drain Current (ID) — 175 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 0.63 mOhm (typ at VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Junction Temperature Max — 175 C
Power Dissipation Max (Pd) — [DATA_NEEDED: Pd max]
Gate Charge Total (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت