IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUC100N10S5L054ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN10S5L280DATMA1 بواسطة Infineon و IAUC100N10S5L054ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUC100N10S5L054ATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 - 100V 5.4mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N10S5L054ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN10S5L280DATMA1 IAUC100N10S5L054ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
العلبة PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-34 (surface mount)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET OptiMOS 5 trench
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (junction) -55°C to +175°C
عدد الأطراف 8 —
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
حالة RoHS Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Series — OptiMOS 5 (IAUC automotive family)
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Gate-to-Source Voltage (V_GS) — [DATA_NEEDED: max V_GS value]
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 101 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 130 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 5.4 mΩ
Qualification — AEC-Q101 (automotive)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر