IAUCN10S7N021ATMA1 vs IAUC41N06S5L100ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN10S7N021ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC41N06S5L100ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUC41N06S5L100ATMA1 IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN10S7N021ATMA1 IAUC41N06S5L100ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) OptiMOS 5 (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 175 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 2.1 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ 3.2 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V 105 nC —
Input Capacitance (Ciss) 2.98 nF —
Output Capacitance (Coss) 32 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7.153 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 217 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-33 (TDSON-8, 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 41 A
Power Dissipation (PD, TC) — 42 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 10 mOhm at VGS=10 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C
Channel Type — N-Channel
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101 automotive grade)
Interconnect — Copper clip (low-inductance)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر