IAUCN10S7N021ATMA1 vs IAUC41N06S5L100ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN10S7N021ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC41N06S5L100ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC41N06S5L100ATMA1 IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN10S7N021ATMA1 IAUC41N06S5L100ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS™ 7 (trench MOSFET) OptiMOS 5 (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 175 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10 V 2.1 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) typ 3.2 V —
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10 V 105 nC —
Input Capacitance (Ciss) 2.98 nF —
Output Capacitance (Coss) 32 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 7.153 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 217 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-TDSON-8-53 (SSO8, 5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-33 (TDSON-8, 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 41 A
Power Dissipation (PD, TC) — 42 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 10 mOhm at VGS=10 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
Channel Type — N-Channel
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101 automotive grade)
Interconnect — Copper clip (low-inductance)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin