IAUS260N10S5N019TATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUS260N10S5N019TATMA1 بواسطة Infineon و ISC015N06NM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 - 100V 260A 1.9mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUS260N10S5N019TATMA1 ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUS260N10S5N019TATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 260 A (Tj) | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 1.9 mΩ (typical, 10 V Vgs) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 300 W (Tc) | — |
| العلبة | PG-HDSOP-16-2 (TOLT, topside-cooled) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 16 | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C (Tj) | -55 C to +175 C |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Automotive Qualified | Yes (IAUS prefix denotes automotive grade) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |