IAUT300N08S5N012ATMA2 vs IAUC60N04S6N031HATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUT300N08S5N012ATMA2 بواسطة Infineon و IAUC60N04S6N031HATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUT300N08S5N012ATMA2 | IAUC60N04S6N031HATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™-5 80 V | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 1200 A (per datasheet, typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.2 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | 375 W | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| العلبة | PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) | PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Part Family | — | IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) |
| Process Technology | — | OptiMOS 6 40V |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | — | 60 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | — | 75 W |
| R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| عدد الأطراف | — | 8 |
| حالة RoHS | — | Compliant |