IAUT300N08S5N012ATMA2 vs IAUC60N04S6N031HATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUT300N08S5N012ATMA2 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUC60N04S6N031HATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ সক্রিয়Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IAUT300N08S5N012ATMA2 | IAUC60N04S6N031HATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™-5 80 V | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 1200 A (per datasheet, typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.2 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | 375 W | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| প্যাকেজ | PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) | PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Part Family | — | IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) |
| Process Technology | — | OptiMOS 6 40V |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | — | 60 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | — | 75 W |
| R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| পিন সংখ্যা | — | 8 |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |