IAUT300N10S5N015ATMA1 vs IAUC90N10S5N062ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUT300N10S5N015ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC90N10S5N062ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 300 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
RDS(on) (typ, VGS=10V) 1.5 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C —
العلبة PG-HSOF-8-1 (HSOF-8) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
مستوى MSL MSL1 (260°C peak reflow) —
RoHS Compliance RoHS compliant (Green product) —
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
Polarity N-Channel —
Mode of Operation Enhancement-mode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 90 A
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.2 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.8 V
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 115 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (260 C peak reflow)
RoHS / Green Product — Yes (RoHS compliant, Green Product)
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر