IAUT300N10S5N015ATMA1 vs IAUC90N10S5N062ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUT300N10S5N015ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC90N10S5N062ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUT300N10S5N015ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUC90N10S5N062ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 5, Generation 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 300 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 375 W —
RDS(on) (typ, VGS=10V) 1.5 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C —
Paket PG-HSOF-8-1 (HSOF-8) PG-TDSON-8-34 (TDSON-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
MSL Seviyesi MSL1 (260°C peak reflow) —
RoHS Compliance RoHS compliant (Green product) —
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
Polarity N-Channel —
Mode of Operation Enhancement-mode —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 90 A
Maximum On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.2 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.8 V
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 115 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (260 C peak reflow)
RoHS / Green Product — Yes (RoHS compliant, Green Product)
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin