IAUZ20N08S5L300ATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUZ20N08S5L300ATMA1 بواسطة Infineon و BSC052N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUZ20N08S5L300ATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-5 | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 20 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 30 W (Tc) | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 30 mΩ @ 10 A, 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | ±20 V (max Vgs rating) | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 599 pF @ 40 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10.5 nC @ 10 V | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55°C to +175°C | -55C to +150C |
| العلبة | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3 x 3.3 mm | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-5) | OptiMOS 5 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | BSC052N08NS5ATMA1 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 95 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5-3.0 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| مستوى MSL | — | 1 (unlimited) |