IAUZ20N08S5L300ATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUZ20N08S5L300ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC052N08NS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IAUZ20N08S5L300ATMA1 IAUZ20N08S5L300ATMA1 - 80V 20A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ20N08S5L300ATMA1 - 80V 20A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ20N08S5L300ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IAUZ20N08S5L300ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) 20 A (Tc) —
Power Dissipation (Pd) 30 W (Tc) —
On-State Resistance (Rds(on)) 30 mΩ @ 10 A, 10 V —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) ±20 V (max Vgs rating) —
Input Capacitance (Ciss) 599 pF @ 40 V —
Total Gate Charge (Qg) 10.5 nC @ 10 V —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55°C to +175°C -55C to +150C
প্যাকেজ PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3 x 3.3 mm PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-5) OptiMOS 5
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
MSL লেভেল — 1 (unlimited)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট