IAUZ20N08S5L300ATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUZ20N08S5L300ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC052N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUZ20N08S5L300ATMA1 IAUZ20N08S5L300ATMA1 - 80V 20A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ20N08S5L300ATMA1 - 80V 20A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ20N08S5L300ATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUZ20N08S5L300ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-5 —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) 20 A (Tc) —
Power Dissipation (Pd) 30 W (Tc) —
On-State Resistance (Rds(on)) 30 mΩ @ 10 A, 10 V —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) ±20 V (max Vgs rating) —
Input Capacitance (Ciss) 599 pF @ 40 V —
Total Gate Charge (Qg) 10.5 nC @ 10 V —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +175°C -55C to +150C
پیکیج PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3 x 3.3 mm PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-5) OptiMOS 5
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
MSL لیول — 1 (unlimited)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں