IAUZ40N06S5L050ATMA1 vs BSC146N10LS5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUZ40N06S5L050ATMA1 بواسطة Infineon و BSC146N10LS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUZ40N06S5L050ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 60 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] —
Drain Current at T<sub>j</sub> 90 A —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V 5 mΩ —
R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A 6.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> 2.2 V at 29 µA —
Total Gate Charge Q<sub>G</sub> 28.2 nC —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 71 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (super-junction N-channel) OptiMOS 5 (logic-level)
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
حالة RoHS Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 44 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10 V — 14.6 mOhm
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level (typ. ~1.7 V)
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 52 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +150 C (TJ max)
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر