IAUZN04S7L025ATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUZN04S7L025ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7L050HATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUZN04S7L025ATMA1 IAUCN04S7L050HATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-7 —
Technology N-Channel Trench MOSFET Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 117 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 60 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) Max at VGS=10V 2.56 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25C 65 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C -55 °C to +175 °C
العلبة PG-TSDSON-8-44 (S3O8) PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Typical Applications Synchronous rectification, hot-swap, OR-ing, motor drive —
Series — OptiMOS™ 7
Configuration — Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge)
Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C — 65 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.04 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 40 W
حالة RoHS — Compliant
Automotive Qualification — AEC-Q101 (family-level, automotive grade)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر