IAUZN04S7L025ATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUZN04S7L025ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN04S7L050HATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon

IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon

IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IAUZN04S7L025ATMA1 IAUCN04S7L050HATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-7 —
Technology N-Channel Trench MOSFET Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 117 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 60 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) Max at VGS=10V 2.56 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25C 65 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C -55 °C to +175 °C
מארז PG-TSDSON-8-44 (S3O8) PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
AEC-Q100 Qualification Qualified (automotive grade) —
RoHS Compliance Compliant —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Typical Applications Synchronous rectification, hot-swap, OR-ing, motor drive —
Series — OptiMOS™ 7
Configuration — Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge)
Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C — 65 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.04 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 40 W
סטטוס RoHS — Compliant
Automotive Qualification — AEC-Q101 (family-level, automotive grade)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר