IAUZN04S7L030ATMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUZN04S7L030ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC100N04S6L020ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IAUZN04S7L030ATMA1 | IAUC100N04S6L020ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 60 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tj) | 100 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) | 3.05 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 58 W | — |
| Operating Junction Temperature (Tj) | -55C to +175C | — |
| Technology Family | OptiMOS-7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| العلبة | PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² | PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 100 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 75 W |
| RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A | — | 2.04 mΩ |
| RDS(on) Typical | — | 2.0 mΩ |
| Gate-Source Voltage VGS (max) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical | — | 2.0 V |
| Technology | — | OptiMOS 6 |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Qualification | — | Automotive grade |
| Packaging | — | Tape & Reel (TMA1) |
| حالة RoHS | — | Compliant |