IGD08N120S7ATMA1 vs IGD06N60TATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IGD08N120S7ATMA1 بواسطة Infineon و IGD06N60TATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 ✓ نشط
Infineon
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 - 600V 6A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGD06N60TATMA1 - 600V 6A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGD06N60TATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IGD08N120S7ATMA1 IGD06N60TATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة IGBTs Transistors
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family IGBT 7 (S7) Trench Field Stop —
Collector-Emitter Voltage (Vce max) 1200 V —
Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) 24 A —
Pulsed Collector Current (Icm) [DATA_NEEDED: pulsed collector current] —
Total Power Dissipation (Ptot) 106 W —
Gate-Emitter Voltage (Vge max) [DATA_NEEDED: Vge max] —
VCE(sat) at rated Ic 1.65 V —
Co-packaged Diode Yes (anti-parallel emitter diode) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40C to +175C (industry grade) -40 °C to +175 °C
العلبة PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK / TO-252)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology Trench Field Stop, 7th generation —
Configuration Single —
حالة RoHS Compliant Compliant
Series — TRENCHSTOP IGBT3
IGBT Type — Trench Field Stop
Collector-Emitter Voltage (VCE) — 600 V
Continuous Collector Current (IC) at TC=25°C — 12 A
Continuous Collector Current (IC) at TC=100°C — 6 A
Maximum Pulsed Collector Current (ICM) — 18 A (per datasheet)
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 88 W
Gate-Emitter Voltage (VGE) — ±20 V
VCE(sat) at IC=6A, VGE=15V, Tj=25°C — 1.5 V (typical)
Gate Threshold Voltage (VGE(th)) — 3.0 V min / 5.0 V max (typical 4.0 V)
Turn-on Switching Energy (Eon) — [DATA_NEEDED: Eon]
Turn-off Switching Energy (Eoff) — [DATA_NEEDED: Eoff]
Integrated Diode — Yes, soft-recovery emitter-controlled diode
Storage Temperature — -55 °C to +150 °C
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر