IGD08N120S7ATMA1 vs IGD06N60TATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IGD08N120S7ATMA1 द्वारा Infineon और IGD06N60TATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 - 600V 6A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGD06N60TATMA1 - 600V 6A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGD06N60TATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IGD08N120S7ATMA1 IGD06N60TATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी IGBTs Transistors
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family IGBT 7 (S7) Trench Field Stop —
Collector-Emitter Voltage (Vce max) 1200 V —
Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) 24 A —
Pulsed Collector Current (Icm) [DATA_NEEDED: pulsed collector current] —
Total Power Dissipation (Ptot) 106 W —
Gate-Emitter Voltage (Vge max) [DATA_NEEDED: Vge max] —
VCE(sat) at rated Ic 1.65 V —
Co-packaged Diode Yes (anti-parallel emitter diode) —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -40C to +175C (industry grade) -40 °C to +175 °C
पैकेज PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK / TO-252)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology Trench Field Stop, 7th generation —
Configuration Single —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Series — TRENCHSTOP IGBT3
IGBT Type — Trench Field Stop
Collector-Emitter Voltage (VCE) — 600 V
Continuous Collector Current (IC) at TC=25°C — 12 A
Continuous Collector Current (IC) at TC=100°C — 6 A
Maximum Pulsed Collector Current (ICM) — 18 A (per datasheet)
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 88 W
Gate-Emitter Voltage (VGE) — ±20 V
VCE(sat) at IC=6A, VGE=15V, Tj=25°C — 1.5 V (typical)
Gate Threshold Voltage (VGE(th)) — 3.0 V min / 5.0 V max (typical 4.0 V)
Turn-on Switching Energy (Eon) — [DATA_NEEDED: Eon]
Turn-off Switching Energy (Eoff) — [DATA_NEEDED: Eoff]
Integrated Diode — Yes, soft-recovery emitter-controlled diode
Storage Temperature — -55 °C to +150 °C
Lead-Free — Yes

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध