IGD08N120S7ATMA1 vs IGD06N60TATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGD08N120S7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IGD06N60TATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 - 1200V Trench Stop IGBT, 24A | Infineon

IGD08N120S7ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 - 600V 6A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGD06N60TATMA1 - 600V 6A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGD06N60TATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IGD08N120S7ATMA1 IGD06N60TATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ IGBTs Transistors
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family IGBT 7 (S7) Trench Field Stop —
Collector-Emitter Voltage (Vce max) 1200 V —
Continuous Collector Current (Ic, Tc=25C) 24 A —
Pulsed Collector Current (Icm) [DATA_NEEDED: pulsed collector current] —
Total Power Dissipation (Ptot) 106 W —
Gate-Emitter Voltage (Vge max) [DATA_NEEDED: Vge max] —
VCE(sat) at rated Ic 1.65 V —
Co-packaged Diode Yes (anti-parallel emitter diode) —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -40C to +175C (industry grade) -40 °C to +175 °C
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK / TO-252)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology Trench Field Stop, 7th generation —
Configuration Single —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Series — TRENCHSTOP IGBT3
IGBT Type — Trench Field Stop
Collector-Emitter Voltage (VCE) — 600 V
Continuous Collector Current (IC) at TC=25°C — 12 A
Continuous Collector Current (IC) at TC=100°C — 6 A
Maximum Pulsed Collector Current (ICM) — 18 A (per datasheet)
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 88 W
Gate-Emitter Voltage (VGE) — ±20 V
VCE(sat) at IC=6A, VGE=15V, Tj=25°C — 1.5 V (typical)
Gate Threshold Voltage (VGE(th)) — 3.0 V min / 5.0 V max (typical 4.0 V)
Turn-on Switching Energy (Eon) — [DATA_NEEDED: Eon]
Turn-off Switching Energy (Eoff) — [DATA_NEEDED: Eoff]
Integrated Diode — Yes, soft-recovery emitter-controlled diode
Storage Temperature — -55 °C to +150 °C
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں