IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGLR70R270D2SXUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IGLR70R200D2SXUMA1 بواسطة Infineon و IGLR70R270D2SXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IGLR70R200D2SXUMA1 | IGLR70R270D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN G5 | CoolGaN™ G5 |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 9.3 A | 7.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 34 W | 28 W |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 200 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 1.26 nC | — |
| Output Capacitance (Coss) | 91 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.21 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.2 V | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40 °C to +150 °C | -40C to +150C (junction) |
| العلبة | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) |
| RoHS | Compliant | — |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | — | 270 mΩ |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| Gate Drive | — | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) |
| Wafer Process | — | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | 0 nC (no body diode) |