IGLR70R200D2SXUMA1 vs IGLR70R270D2SXUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IGLR70R200D2SXUMA1 द्वारा Infineon और IGLR70R270D2SXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IGLR70R200D2SXUMA1 | IGLR70R270D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN G5 | CoolGaN™ G5 |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 9.3 A | 7.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 34 W | 28 W |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 200 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 1.26 nC | — |
| Output Capacitance (Coss) | 91 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 0.21 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40 °C to +150 °C | -40C to +150C (junction) |
| पैकेज | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) |
| RoHS | Compliant | — |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | — | 270 mΩ |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| Gate Drive | — | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) |
| Wafer Process | — | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | 0 nC (no body diode) |