IKD04N60RATMA1 vs IKD06N60RATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IKD04N60RATMA1 بواسطة Infineon و IKD06N60RATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 - 600V 12A TRENCHSTOP RC-IGBT | Infineon

IKD06N60RATMA1 - 600V 12A TRENCHSTOP RC-IGBT | Infineon

IKD06N60RATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IKD04N60RATMA1 IKD06N60RATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة IGBTs IGBTs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series RC-Drives —
نوع الترانزستور IGBT - Trench Field Stop with integrated diode IGBT - Trench Field Stop with anti-parallel diode
Collector-Emitter Voltage (VCES) 600 V —
Continuous Collector Current (IC) at TC=25C 8 A 12 A
Pulsed Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: pulsed collector current] [DATA_NEEDED: pulsed collector current]
Power Dissipation (PD) at TC=25C 75 W —
Gate-Emitter Voltage (VGES) [DATA_NEEDED: gate-emitter voltage rating] —
VCE(sat) at IC=4A, VGE=15V [DATA_NEEDED: VCE(sat) typical at 4A] —
Gate Threshold Voltage (VGE(th)) [DATA_NEEDED: VGE(th)] —
Integrated Anti-Parallel Diode Yes —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +150C -40C to +150C (junction)
العلبة PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (2 leads + tab) 3 (2 + Tab)
Configuration Single Single with built-in diode
مستوى MSL 1 —
حالة RoHS Compliant Compliant
Technology Target Consumer drives / motor control —
Collector-Emitter Voltage (VCE) — 600 V
Maximum Power Dissipation — 100 W
Gate-Emitter Voltage (VGE) — [DATA_NEEDED: VGE max rating]
Technology — TRENCHSTOP RC-IGBT3 (Reverse Conducting)
VCE(sat) at IC=6A, VGE=15V — [DATA_NEEDED: VCE(sat) typical]
Diode Forward Voltage (VF) at IF=6A — [DATA_NEEDED: VF typical]
Automotive Qualified — Yes (per FindIC listing)
Switching Frequency Range (typical) — 4 kHz to 20 kHz (hard-switching)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر