IPB020N08N5ATMA1 vs IPB031N08N5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB020N08N5ATMA1 بواسطة Infineon و IPB031N08N5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPB020N08N5ATMA1 | IPB031N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 480 A | — |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | 2.0 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 300 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC value, approx 0.5 C/W] | — |
| العلبة | PG-TO263-3 (D2PAK-2) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (2+Tab) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) Max | — | 167 W (Tc) |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 3.1 mOhm (VGS=10V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +175 C |
| عدد الأطراف | — | 3 (Gate, Drain, Source + Tab) |
| Tab Connection | — | Drain (electrically connected to pin) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Arrow listing) |