IPB020N08N5ATMA1 vs IPB031N08N5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB020N08N5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB031N08N5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 - 80V 2mOhm OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPB020N08N5ATMA1 - 80V 2mOhm OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPB020N08N5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB020N08N5ATMA1 IPB031N08N5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 120 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 480 A —
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.0 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 300 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) [DATA_NEEDED: RthJC value, approx 0.5 C/W] —
پیکیج PG-TO263-3 (D2PAK-2) PG-TO263-3 (D2PAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated (EAS) [DATA_NEEDED: EAS value] —
Configuration Single N-channel, 3-pin (2+Tab) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) — 120 A (Tc)
Power Dissipation (PD) Max — 167 W (Tc)
On-Resistance (RDS(on)) Max — 3.1 mOhm (VGS=10V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source + Tab)
Tab Connection — Drain (electrically connected to pin)
Automotive Qualified — Yes (per Arrow listing)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں