IPB100N12S305ATMA2 vs BSC076N04NDATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB100N12S305ATMA2 بواسطة Infineon و BSC076N04NDATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPB100N12S305ATMA2 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 120V | OptiMOS 3 |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | — |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) | 0.0048 ohm (4.8 mΩ) at VGS=10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | 4 V (max, typical) |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 1445 mJ | — |
| العلبة / الحالة | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 C to +175 C |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |